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NE425S01中文资料

NE425S01图片

NE425S01外观图

  • 大小:57.5KB
  • 厂家:NEC [NEC]
  • 描述:C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
  • 制造商:NEC
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:12 GHz
  • 增益:12 dB
  • 噪声系数:0.6 dB
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):60 mS
  • 漏源电压 VDS:4 V
  • 闸/源击穿电压:- 3 V
  • 漏极连续电流:90 mA
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 功率耗散:165 mW
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:S0-1
  • 封装:Bulk

NE425S01供应商

更新时间:2023-01-09 17:48:26
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